电脑内存的刷新周期主要取决于 动态随机存取存储器（DRAM）的架构和制造商。DRAM需要定期刷新以维持存储的数据，防止数据丢失。这个刷新周期通常为 64ms。不过，也有资料提到DRAM的刷新周期可以小于64ms，例如某些情况下可以实现64μs。

对于DDR内存，其刷新机制与DRAM有所不同。DDR内存可以在一个信号周期内进行两次读写操作，因此其刷新频率通常是MHz级别。例如，DDR2 800的刷新频率为800MHz，即每秒刷新800兆次。

总结起来，DRAM的刷新周期一般为64ms，而DDR内存的刷新频率则与其时钟频率相关，通常是MHz级别。